제품

5SHY4045L0001 3BHB018162R0001은 ABB의 5SHY 시리즈에 속하는 통합 게이트 정류 사이리스터(IGCT) 제품입니다.

IGCT는 1990년대 후반에 등장한 새로운 유형의 전자 장치입니다.

IGBT(절연 게이트 바이폴라 트랜지스터)와 GTO(게이트 턴오프 사이리스터)의 장점을 결합하여, 스위칭 속도가 빠르고, 용량이 크며, 구동 전력이 큰 특징을 가지고 있습니다.

구체적으로 5SHY4045L0001 3BHB018162R0001의 용량은 GTO와 동일하지만, 스위칭 속도는 GTO보다 10배 빠르기 때문에 더 짧은 시간 안에 스위칭 동작을 완료할 수 있어 전력 변환 효율을 향상시킬 수 있습니다.

또한, IGCT는 GTO와 비교하여 방대하고 복잡한 스너버 회로를 생략할 수 있어 시스템 설계를 단순화하고 비용을 절감하는 데 도움이 됩니다.

하지만 IGCT가 많은 장점을 가지고 있음에도 불구하고, 여전히 필요한 구동 전력이 크다는 점을 염두에 두어야 합니다.

이로 인해 시스템의 에너지 소비와 복잡성이 증가할 수 있습니다. 또한, IGCT는 고전력 애플리케이션에서 GTO를 대체하기 위해 노력하고 있지만, IGBT와 같은 다른 새로운 소자와의 치열한 경쟁에 직면해 있습니다.

5SHY4045L00013BHB018162R0001 통합 게이트 정류 트랜지스터|GCT(통합 게이트 정류 트랜지스터)는 1996년에 출시된 대형 전력 전자 장비에 사용되는 새로운 전력 반도체 소자입니다.

IGCT는 GTO 구조를 기반으로 한 새로운 고전력 반도체 스위치 소자로, 게이트 하드 드라이브를 위한 통합 게이트 구조를 사용하고, 버퍼 중간층 구조와 애노드 투명 에미터 기술을 사용하며, 사이리스터의 온 상태 특성과 트랜지스터의 스위칭 특성을 갖습니다.

5SHY4045L000) 3BHBO18162R0001은 버퍼 구조와 얕은 에미터 기술을 사용하여 동적 손실을 약 50% 줄였습니다.

또한, 이 장비는 칩에 동적 특성이 좋은 프리휠링 다이오드를 통합하여, 독특한 방식으로 사이리스터의 낮은 온 상태 전압 강하, 높은 차단 전압 및 안정적인 스위칭 특성의 유기적 결합을 실현합니다.